標題：	貴轄○○凸版電子股份有限公司對於申請固定污染源設置與操作許可證之製程類別認定有疑義一案
發文機關：	行政院環境保護署
發文字號：	環署空字第1040095981號函
發文日期：	民國 104 年 12 月 03 日
單位業務分類：	大氣環境/固定源空污防制
內容：	主    旨：貴轄○○凸版電子股份有限公司對於申請固定污染源設置與操作許可證之           製程類別認定有疑義一案，請查照。 說    明：一、依○○凸版電子股份有限公司 104  年 10 月 12 日凸版總發字第 1               04038 號函辦理（副本諒達）。           二、依本署公告第 2  批及第 3  批公私場所應申請設置、變更及操作許               可之半導體製造程序，係指從事晶片製造、晶圓製造、晶圓封（包）               裝、積體電路或其他半導體之生產者，但作業中若未涉及導線電鍍、               浸錫、有機溶劑清洗或酸洗等步驟者，不在此限。另依本署公告第 8               批公私場所應申請設置、變更及操作許可之光電材料、元件或電子零               組件製造程序，係指從事光電材料、元件或電子零組件製造，並具有               塗佈、去塗佈、上膠、蝕刻或顯影等作業程序，其廠房面積大於 50                平方公尺，且生產設備之馬力與電熱合計達 2.25 千瓦者，合先敘明               。           三、另依半導體製造業空氣污染管制及排放標準第 2  條第 1  款規定，               半導體製造業係指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製               造、導線架製造等作業者，其中積體電路晶圓製造作業係指將各種規               格晶圓生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積、化學氣               相沈積、光阻、微影、蝕刻、擴散、離子植入、氧化與熱處理等製程               。           四、本案該公司之製程以晶圓半成品為原料，經曝光、顯影、蝕刻、洗淨               剝膜等程序，製成晶圓半成品成像膜，與前揭公告半導體製造程序之               製程條件相符，應以該製程名稱申請固定污染源設置與操作許可證。               本案請貴局依個案實際情形，本權責查明及認定後，逕復該公司。
相關法規：	半導體製造業空氣污染管制及排放標準第2條 空氣污染防制法第24條