標題：	本署公告「第二批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」、公告「第三批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」及公告「第二批應設置空氣污染防制專責單位或人員之公私場所」中所稱之炔類製造程序，係專指以化學合成方法從事炔類化合物之生產者，且化學合成過程中必須同時涉及高溫裂解（攝氏500度以上）、電子還原及吸熱反應
發文機關：	行政院環境保護署
發文字號：	環署空字第53624號函
發文日期：	民國 85 年 10 月 09 日
單位業務分類：	大氣環境/固定源空污防制
內容：	全文內容：本署公告「第二批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」、           公告「第三批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」及公告           「第二批應設置空氣污染防制專責單位或人員之公私場所」中所稱之炔類           製造程序，係專指以化學合成方法從事炔類化合物之生產者，且化學合成           過程中必須同時涉及高溫裂解（攝氏 500  度以上）、電子還原及吸熱反           應。
相關法規：	空氣污染防制法第14條 空氣污染防制法第24條