第 1 條
本標準依空氣污染防制法第十一條第二項、第十二條及第十三條第二項規定訂定之
。
第 2 條
本標準專有名詞及符號定義如下：
一、半導體製造業：指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製造、導線
架製造等作業者。
二、積體電路晶圓製造作業（Wafer Fabrication）：
指將各種規格晶圓生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積（Phys
ical Vapor Deposi-tion）、化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposi-tion
）、光阻、微影（Photolithography）、蝕刻（ Etching）、擴散、離子植入
（Ion Implanta-tion）、氧化與熱處理等製程。
三、積體電路晶圓封裝作業（Wafer Package）：指將製造完成之各種用途之晶圓
生產成為半導體產品之作業，包括經由切割成片狀的晶粒（Dice），再經焊接
、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。
四、光阻劑：指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時，所需耐酸性之感光劑。
五、光阻製程：指晶圓經過光組劑的塗佈、曝光、顯像，使晶圓上形成各類型電路
的製程。
六、揮發性有機物（Volatile Organic Compounds,
VOCs）：係指有機化合物成份之總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、
碳酸、碳化物、碳酸鹽、碳酸銨等化合物。
七、密閉排氣系統（Closed Vent System）：係指可將設備或製程設備元件排出或
逸散出之空氣污染物，捕集並輸送至污染防制設備，使傳送之氣體不直接與大
氣接觸之系統。該系統包括管線及連接裝置。
八、污染防制設備：係指處理廢氣之熱焚化爐、觸媒焚化爐、鍋爐或加熱爐等密閉
式焚化設施、冷凝器、吸附裝置、吸收塔、廢氣燃燒塔、生物處理設施或其它
經中央主管機關認定者。
九、工廠總排放量：係指同一廠場周界內所有排放管道排放某單一空氣污染物之總
和；單位為kg／hr。
十、污染防制設備削減量及排放削減率之計算公式如下：
（一）污染防制設備削減量＝ E－E0；單位為kg／hr。
（二）排放削減率=（E-E0）／ E ×100%；單位為％。
E：經密閉排氣系統進入污染防制設備前之 氣狀污染物質量流率，單位為kg
／hr。
Eo（排放量）：經污染防制設備後逕排大氣之氣狀污染物質量流率，單位為
kg／hr。
十一、潤濕因子：洗滌循環水量／（填充物比表面積×洗滌塔填充段水平截面積）
，單位為m2／hr。
十二、洗滌循環水量：濕式洗滌設備內部流過填充物之洗滌水體積流量，單位為 m3
／hr。
十三、填充物比表面積：濕式洗滌設備之填充物單位體積內所能提供之氣液接觸面
積，單位為m2／m3。
十四、洗滌塔填充段水平截面積：濕式洗滌設備內部裝載填充物部份之水平橫截面
積，單位為m2。
十五、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。
十六、每季有效監測率：（每季污染源操作小時數－每季污染源操作期間連續自動
監測器失效小時數）／每季污染源操作小時數。
第 3 條
本標準適用於半導體製造業。但原物料年用量小於下表所列者，該項物質不適用本
標準之規定：
┌──────┬────────┐
│原物料 │年用量 │
├──────┼────────┤
│揮發性有機物│一七００公斤／年│
├──────┼────────┤
│三氯乙烯 │六０公斤／年 │
├──────┼────────┤
│硝酸 │一七００公斤／年│
├──────┼────────┤
│硫酸 │三００公斤／年 │
├──────┼────────┤
│鹽酸 │一七００公斤／年│
├──────┼────────┤
│磷酸 │一七００公斤／年│
├──────┼────────┤
│氫氟酸 │一二００公斤／年│
└──────┴────────┘
第 4 條
半導體製造業產生之空氣污染物應由密閉排氣系統導入污染防制設備，並處理至符
合下表規定後始得排放。
┌──────┬───────────────┐
│空氣污染物 │排放標準 │
├──────┼───────────────┤
│揮發性有機物│排放削減率應大於九０％或工廠總│
│ │排放量應小於０．六kg／hr（以甲│
│ │烷為計算基準）。 │
├──────┼───────────────┤
│三氯乙烯 │排放削減率應大於九０％或工廠總│
│ │排放量應小於０．０二kg／hr。 │
├──────┼───────────────┤
│硝酸、鹽酸、│各污染物排放削減率應大於九十五│
│磷酸及氫氟酸│％或各污染物工廠總排放量應小於│
│ │０．六kg／hr。 │
├──────┼───────────────┤
│硫酸 │排放削減率應大於九十五％或工廠│
│ │總排放量應小於０．０一kg／hr。│
└──────┴───────────────┘
硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸等之廢氣若以濕式洗滌設備處理，無法證明符合
前項標準時，其控制條件應符合下列之規定：
一、設備洗滌循環水槽之pH值應大於七、潤濕因子應大於０‧一m2／hr、填充段空
塔滯留時間應大於０‧五秒及填充物比表面積應大於九０m2／m3。
二、其他可證明同等處理效果或較優之控制條件向中央主管機關申請認可者。
第 5 條
依前條規定收集至污染防制設備處理之廢氣，其流量計及空氣污染物濃度連續自動
監測器設置規定如下：
一、污染防制設備之廢氣導入處或排放口應設置流量計。
二、揮發性有機物年用量大於五０噸之工廠其揮發性有機物防制設備之廢氣排放口
應設置濃度監測器。
三、揮發性有機物工廠總排放量大於等於０‧六kg／hr者，其揮發性有機物防制設
備之廢氣導入處及排放口應設置濃度監測器。
四、流量計及濃度監測器之有效每季監測率應大於八０％，每年至少以標準檢測方
法比測一次，比測時間每次至少二小時，所設置之流量計及濃度監測器所得之
結果應以上次比測結果修正之。
未依前項規定設置流量計及污染物濃度監測器者，得提出其他可證明其排放污染物
符合前條規定之替代監測方案，報請中央主管機關認可。
第 6 條
揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸等之紀錄、保存、檢
測與申報規定如下：
一、空氣污染物輸入量（以溶劑或其他型式輸入製程之量）、輸出量（隨廢溶劑、
廢棄物、廢水或其他型式輸出製程之量）、污染防制設備削減量等資料應每月
記錄。
二、污染防制設備為酸鹼洗滌吸收設施者，應記錄保養維護事項，以確保潤濕因子
及填充段空塔滯留時間符合設施規範，並每日記錄各洗滌槽洗滌循環水量及pH
值。
三、污染防制設備為清水洗滌吸收設施者，應記錄保養維護事項，以確保潤濕因子
及填充段空塔滯留時間符合設施規範，並每日記錄各洗滌槽洗滌循環水量及廢
水排放流量。
四、污染防制設備為冷凝器者，應每月記錄冷凝液量及每日記錄冷凝器出口溫度。
五、污染防制設備為生物處理設施者，應記錄保養維護事項，以確保該設施之狀態
適合生物生長代謝，並每日記錄處理氣體風量、進口溫度及出口相對濕度。
六、污染防制設備為熱焚化爐者，應每日記錄燃燒溫度。
七、污染防制設備為觸媒焚化爐者，應記錄觸媒種類、觸媒床更換日期，並每日記
錄觸媒床進、出口氣體溫度。
八、以其他污染防制設備處理者，應記錄保養維護事項，並每日記錄主要操作參數
。
九、揮發性有機物之污染防制設備設有濃度監測器者，其去除率或排放量應根據自
動監測結果之日平均值以上次比測結果修正後計算，並每日記錄。
十、揮發性有機物之污染防制設備未設有濃度監測器者，其處理前後之濃度及排放
量每年至少需檢測一次，檢測時需記錄當時製程及處理設備之操作條件。
每次檢測至少八小時，檢測報告應含所測得濃度之測值、小時平均值及總平均
值。計算防制設備去除率及排放量時，應採用所測得濃度之總平均值。
十一、三氯乙烯之污染防制設備處理前後之濃度及排放量每年至少需檢測一次，檢
測時需記錄當時製程及處理設備之操作條件。每次檢測至少八小時，每小時至
少檢測三個樣品，檢測報告應含所測得濃度之各測值、小時平均值及總平均值
。計算防制設備去除率及排放量時，應採用所測得濃度之總平均值。
十二、第一款至第十一款之使用、操作及檢測紀錄需保存至少二年，並依中央主管
機關規定之格式於每年一、四、七、十月月底前向當地主管機關申報上一季之
紀錄。主管機關得適時調整申報內容及頻率。
第 7 條
空氣污染物測定方法依中央主管機關公告之標準檢測方法。
第 8 條
本標準發布日前設立之半導體製造業，應於發布日後三個月內依中央主管機關規定
之格式向中央及當地主管機關提出污染防制計畫書，並自八十九年七月一日起應符
合本標準第四條、第五條及第六條之規定。
第 9 條
本標準未規定事項適用其他相關之規定。
第 10 條
本標準自發布日起施行。