行政函釋內容
_本系統行政函釋內容係函釋作成當時之公文原文，其內所引述法規之名稱及條次可能因法規嗣後異動而有所不同
| 標題： |
本署公告「第二批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」、公告「第三批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」及公告「第二批應設置空氣污染防制專責單位或人員之公私場所」中所稱之炔類製造程序，係專指以化學合成方法從事炔類化合物之生產者，且化學合成過程中必須同時涉及高溫裂解（攝氏500度以上）、電子還原及吸熱反應
|
| 發文機關： |
行政院環境保護署 |
| 發文字號： |
環署空字第53624號函 |
| 發文日期： |
民國 85 年 10 月 09 日 |
| 單位業務分類： |
大氣環境/固定源空污防制 |
| 內容： |
全文內容：本署公告「第二批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」、
公告「第三批公私場所應申請設置變更及操作許可之固定污染源」及公告
「第二批應設置空氣污染防制專責單位或人員之公私場所」中所稱之炔類
製造程序，係專指以化學合成方法從事炔類化合物之生產者，且化學合成
過程中必須同時涉及高溫裂解（攝氏 500 度以上）、電子還原及吸熱反
應。
|
| 相關法規： |
|