行政函釋內容
_本系統行政函釋內容係函釋作成當時之公文原文，其內所引述法規之名稱及條次可能因法規嗣後異動而有所不同
| 標題： |
貴轄○○科技股份有限公司函詢其製程是否屬本署公告公私場所應申請設置、變更及操作之固定污染源疑義一案
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| 發文機關： |
行政院環境保護署 |
| 發文字號： |
環署空字第1000093447號函 |
| 發文日期： |
民國 100 年 11 月 17 日 |
| 單位業務分類： |
大氣環境/固定源空污防制 |
| 內容： |
主 旨：貴轄○○科技股份有限公司函詢其製程是否屬本署公告公私場所應申請設
置、變更及操作之固定污染源疑義一案，請查照。
說 明：一、依本署公告第 4 批公私場所應申請設置、變更及操作許可之粉末冶
金程序，係指從事粉末混拌、燒結脫脂、結合劑混煉、蒸氣處理及溶
劑洗淨之作業者。前述製程之作業主要分為粉末製造、機件製造及輔
助操作等三大部分，其中粉末製造係將各種金屬材料以切削、球磨、
彈射、霧化、成粒、電解沈積或沈澱等方式製成粉末，視機件成品特
性需求，將各種粉末依比例混合；機件製造則將混合粉末經等壓模造
、黏鑄、壓製或滾軋方式成型後，再經燒結或熱壓為粗成品；輔助操
作係依成品用途，將粗成品經壓印、擠製、滲入、電鍍、機器加工、
熱處理或冷軋等後處理方式得成品。
二、另依本署公告第 8 批公私場所應申請設置、變更及操作許可之被動
元件製造程序，係指從事被動元件製造，並具有混合、造粒、燒結、
印刷或電鍍等作業程序，其資本額達三萬元以上且廠房面積達 50 平
方公尺以上者。主要針對被動元件製程中可能產生之揮發性有機物、
氮氧化物、粒狀物、異味等污染物，加以管制。
三、本案○○科技股份有限公司以硫酸銦及氯化錫為原料，經溶解、中和
沉澱、過濾、高溫處理、球磨、加壓成型、高溫處理、拋光為成品銦
錫氧化物靶材，倘其製程非屬從事被動元件製造，則非屬前揭公告第
8 批被動元件製造程序適用對象；惟倘其製程包含前揭公告第 4 批
粉末冶金程序公告條件者，則屬本署公告第 4 批公私場所應申請設
置、變更及操作許可之粉末冶金程序。本案請貴局本權責查明後逕復
該公司。
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| 相關法規： |
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