行政函釋內容
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| 標題： |
一、查空氣污染防制法所規範之對象，包括所有排放空氣污染物之固定污染源，其所排放之空氣污染物均應符合空氣污染防制法規定之排放標準及相關管制規範
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| 發文機關： |
行政院環境保護署 |
| 發文字號： |
環署空字第0970004940號函 |
| 發文日期： |
民國 97 年 01 月 25 日 |
| 單位業務分類： |
大氣環境/固定源空污防制 |
| 內容： |
全文內容：一、查空氣污染防制法所規範之對象，包括所有排放空氣污染物之固定污
染源，其所排放之空氣污染物均應符合空氣污染防制法規定之排放標
準及相關管制規範。另本署依空氣污染防制法第 20 條第 2 項規定
，針對半導體製造業依其行業別污染特性，訂有「半導體製造業空氣
污染管制及排放標準」。依該標準第 2 條第 1 款及第 3 條規定
，其適用對象為從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製造
、導線架製造等作業者，且其揮發性有機物、三氯乙烯、硝酸、硫酸
、鹽酸、磷酸及氫氟酸等原物料年用量大於規定用量者，則該項物質
應符合該標準之規定。
二、另本署公告第二批及第三批應申請設置變更及操作許可之半導體製造
程序，係指從事晶片製造、晶圓製造、晶圓封（包）裝、積體電路或
其他半導體之生產者。但積體電路晶片封（包）裝作業中若未涉及導
線電鍍、浸錫、有機溶劑清洗或酸洗等步驟者，不在此限。前述公告
條件係針對半導體製程中可能產生之揮發性有機物及其他空氣污染物
排放，加以管制。
三、本案該公司倘以矽晶圓為材料，經擴散、黃光顯影、乾式蝕刻、濕式
蝕刻、濺鍍及離子植入等程序，從事積體電路製造程序，因其為積體
電路晶圓製造作業，已符合前揭半導體製造業之定義，其揮發性有機
物、三氯乙烯、硝酸、硫酸、鹽酸、磷酸及氫氟酸等原物料用量超過
半導體製造業空氣污染管制及排放標準第 3 條規定之年用量者，則
該項物質應符合該排放標準之規定。另其亦屬本署公告應申請設置及
操作許可之半導體製造程序，應依規定申請固定污染源設置及操作許
可證。本案請貴局查明確認後逕復該公司。
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| 相關法規： |
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